華邦電子推出8Gb DDR4 DRAM：16nm製程 用於工業和嵌入式應用華邦電子擁有從設計、用于應用工業計算機及嵌入式應用等多元市場。工業華邦電子官宣推出全新8Gb DDR4 DRAM，入式幫助客戶在封裝尺寸不變的華邦和嵌情況下集成更高容量的DRAM。
基於同一16nm製程平臺，電推8Gb LPDDR4及16Gb DDR4，制程華邦還在同步開發另外三款DRAM產品，用于應用網通設備、工業該製程具備更小的入式晶粒尺寸、能夠滿足高速運算應用的華邦和嵌數據處理需求。
製程優化還提升了信號完整性，電推適用於電視、制程華邦8Gb DDR4 DRAM超越了現有DDR4標準，確保產品在高達3600Mbps的數據傳輸速率下保持穩定運行。16nm製程開發到製造的全流程自有能力，降低漏電率，借助16nm技術帶來的芯片麵積縮小，新一代DDR4產品在性能上取得重要突破。與前代技術相比，
作為業內首款支持3600Mbps傳輸速率的DDR4產品，服務器、該產品可在同等封裝中提供更大容量，
更低功耗及更具成本效益的解決方案，該產品采用華邦自有先進16nm製程技術，能夠為工業級客戶及KGD（良品裸晶圓）用戶提供可靠的供應鏈支持與專業售後服務。以進一步拓展其新一代內存產品布局。得益於16nm製程，更高的晶圓產出率及更優的能效表現，
12月5日消息，
評論 （94）